株式会社アールデック



k-Space社はMBE、スパッタ装置、PVD、MOCVD、MOVPEなどの薄膜蒸着装置の基板、薄膜表面のin-situ測定システムの設計、製造、販売を目的として米国ミシガン州に1992年に設立されました。


kSA400 RHEED 解析システム       

結晶格子間隔、原子間距離、ひずみ変化、成長率、膜厚、コヒーレンス長などのin-situ測定が可能です。 14ビットCCDカメラ(112フレーム/秒)、フランジマウント、高性能デスクトップPC、22インチLCDで構成されています。

【参考論文】In-poter InN MBE成長(立命館大)






kSA MOS
リアルタイム基板ひずみ・応力モニター

kSA MOS (マルチビーム・オプティカル・センサー) は、基板のひずみを
リアルタイムモニターすることが可能なシステムです。 測定は2D平行配列ビームによる
サンプル照射、CCDカメラによるビーム位置の測定、取得画像のビーム間距離変化を見て
薄膜にかかる応力、ひずみ、膜厚、成長レートを測定します。薄膜へのストレスは基板の
ひずみを引き起こします。
MOSシステムはMOCVD、MBE等の基板上の薄膜にビームをあて、その偏光をモニターし
光学的にひずみを測定します。研究・開発のみならず、製造プロセスにおいても
薄膜作成過程をリアルタイムモニターするシステムとして使用できます。

【参考論文】MOVPE高効率格子不整合太陽電池(NREL)

【参考論文】SiドープALGaN on Si (ペンシルベニア大)







kSA BandiT リアルタイムウェハ温度モニター
kSA BandiTは全波長を同時に取得可能な最新高感度分光計により、
Si・GaN・GaAs・ZnO・ZnSe・ZnTe・SiC・InP・CdTe・CdSe 等の半導体材質の
ウェハ温度を高精度にリアルタイムでモニターする ことが可能なシステムです。
チャンバー内設置部品が無く、非接触で光学的に低温から高温まで材料の
各バンドギャップ範囲に合わせて温度測定します。
本システムは、ライトソース、ディテクター、データ取得&解析ソフトウェア、
及び分光計内蔵制御から構成されています。

アプリケーションノート
Veeco k465i MOCVDへのインストール例 (GaN)

【参考論文】GaMnAsのMBE成長時の温度測定(チェコ科学アカデミー)

【参考論文】InPウェハ表面温度測定(MBE) Bard Edge VS 放射温度計(Pico Metrix社)






kSA ICE
MOCVD用in-situひずみ・応力・温度・反射率・膜厚測定システム

GaN(LED、パワーデバイス)のMOCVD成膜中のin-situ測定に特化した製品です。
必要機能に応じて以下から選択でき、後にアップグレードすることも可能です。

kSA ICE 反射率・黒体輻射温度・ひずみ・応力
kSA ICE-R 反射率
kSA ICE-RB 反射率・黒体輻射温度
kSA ICE-RC 反射率・ひずみ・応力
kSA Blue ICE 反射率・黒体輻射温度・ひずみ・応力・GaN薄膜表面温度・膜厚・粗度





kSA MOS Ultra-Scan
基板ひずみ・応力2D/3Dマッピングシステム

観察空間領域200mmφ、最高空間分解能2μm、最大曲率半径100km





kSA RateRat Pro
蒸着レートモニター&コントロール

kSA RateRat Proは、MOCVD・MBE・スパッタリング等において、リアルタイムで
蒸着レートのモニター及びコントロールができるシステムです。
蒸着率・膜厚・光学定数を先進のプロセスコントロールソフトウェアで リアルタイム計算し、
複雑な多層膜でも、容易に正確な蒸着レートの モニターが可能です。
当システムは薄膜蒸着中の反射データを取得するために658nm (オプションで407nm)の
レーザー(蒸着する材質により選択)、高速フォトディテクタ、高速16ビットデータ取得ボード、
レーザーモジュレータ (変調器)から構成されています。

アプリケーションノート
トーマス・スワン MOCVDへのインストール例 (GaN)


kSA Emissometer
MOCVD生産機ウェハキャリア検査システム

kSA Emissometerを使うことで、MOCVD用ウェハキャリアの堆積膜や目視では確認出来ないクラックを検知し、ウェハキャリアの交換タイミング(寿命)が的確に判ります。


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