株式会社アールデック

kSA BandiT リアルタイムウェハ温度モニター
Real-time Wafer Temperature Sensing

非接触でリアルタイムに基板温度の測定が可能



ディテクタにより基板上の散乱光から半導体バンドギャップを検出し、波長選択が可能な
分光計(VIS又はNIR)を用い 室温から高温(1300℃程度)まで測定できます。
成長レートや膜厚の測定も可能です。
高温アプリケーションでは、ライトソースとして基板ヒーターステージそのものを使用するので、
シングルポートのみ 必要です。低温アプリケーションでは、ライトソース用にポート1つ、
ディテクタ用にもう1つポートが必要です。 MBEチャンバーでは通常パイロメーター用ポートと
予備ポートを使用します。MOCVD用には1ポートのみ使用します。










※上記測定温度範囲は,諸条件により異なります。

特長
◆ IR透過可能な基板/薄膜にて温度測定
◆ 室温にてZnSe, ZnTe, ZnO, TiO2, GaAs, InP, Si, CdTe等、ほとんどの半導体基板の温度測定
◆ フィラメントやヒーターの光、その他の迷光による影響を受けない
◆ 波長選択可能な分光計(VIS又はNIR)
◆ 薄膜成長レートの測定 (ex-situ)
◆ R&D用及び生産用のMOCVD、MBEシステムに対応したハードウェア


構成
1. 分光計(スペクトロメータ)
◆ 512エレメントペルチェ冷却CCDアレイ、 380 - 1100nm(VIS Model)
◆ 128エレメントInGaAsフォトダイオードアレイ、875 - 1400nm(NIR Model)
◆ オートキャリブレーション用内蔵He/Arライトソース
◆ ディテクタのフォーカス調整用ビルトインレーザーユニット
◆ 19”ラックマウントコントローラ
◆ 取付フランジ:ICF70, ICF114, ICF152

2.ディテクタ
◆ 400μmファイバー ・マイクロメーター付シングルアクシス
◆ ピボットマウント

3.ライトソース
◆ 金メッキリフレクタ付150Wハロゲンランプ
◆ BandiTソフトウェアによるライト出力コントロール
◆ スペクトル安定出力用フィードバックコントロール内蔵

4.kSA BandiTソフトウェア
◆ ライトソース、スペクトロメーター、データI/Oをモニター&制御
◆ バンドエッヂのカーブフィッティング、温度のリアルタイム表示





高温測定振動 スキャンイメージ & 成長レート測定

典型的な温度測定機能に加え、高温スキャンイメージでのデータ保存が可能です。
このフォーマットでは取得したスペクトルは前に 取得したスペクトルの下に
重なって表示されるため、積み重ねた スペクトル画像を経過時間順に上から下へ
生成していくことができ ます。このスキャンイメージを用い成長レートが算出されます。


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