株式会社アールデック

超高真空タイプ3源エバポレーター


特長
AEV-3は、AEV-1の設計コンセプトをもとに、金属や半導体の単原子層や薄膜の作製を目的に設計されております。ロッド状材料を電子ビーム加熱し、高純度の蒸発を行うことが可能です。
到達温度は、Fe、Co、Ni、Ta、Wなどの材料を蒸発させるのに十分な温度です。また、オプションとしてルツボをご用意しておりますので、ロッド状材料以外の材料でも蒸着可能となっております。

蒸着ソースは3源装備しており、3元素の多層膜作製を可能にします。
また、AEV-1P-300専用コントローラーを2台、3台と組み合わせることによって2源、3源の同時蒸着を可能にします。



このエバポレーターの特長は、3源の独立したフラックスをモニターしながら
安定した蒸着が可能です。ロッド状材料が蒸着中に減少しても、試料移動機構により
超高真空を壊すことなく最適な蒸着試料位置の設定が可能です。
ロッド状材料の交換は、本体を真空装置から取り外すことなく、試料移動機構下部の
φ34ICFフランジより交換が簡単に行える設計となっており、メンテナンス性に優れております。


仕様
ワーキングディスタンスは先端より120mm~170mm
手動シャッター付
蒸着エリアはφ15~φ20mm程度
水冷…冷 却水/30℃以下、1.0L/min 以上
温 度範囲は~3300℃
試料…ロッド、又はルツボ(オプション)
蒸発速度  :数原子層/min
  A (中心) B(+Y) C(-Y) D(+X) E(-X)
NO,1/Pt
 θ=0.16
 0.16
0.16
0.16
0.15
NO,2/Ni
0.14
0.15
0.13
0.13
0.14
NO,3/Ag
0.14
0.15
0.14
0.15
0.15
蒸着モニター:蒸着制御用内蔵フラックスモニター(各ソースに対して)
    (AEV-1P-300にて、蒸発レートコントロールが可能)
ロッド移動 :中空型直線移動機構 (s=30mm)
   (中空型直線移動機構下部のφ34ICFフランジを通して蒸着材交換)
取付フランジはφ70ICF ※取り付けポートの内径はφ35mm以上必要
ベーキングは200℃以下
ロッド材寸法:φ2mm × L40mm
[φ10基板/エッジから2mm内側φ6の分布]
3源同時蒸着時の分布測定











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