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製品紹介

ひずみ・応力・反り高さマッピングシステム
kSA MOS Ultra-Scan

製品情報

概要

高解像度ひずみ・応力スキャン反り高さとチルト測定が可能

実績があるin-situ kSA MOSシステムをベースとし、二次元のレーザー配列で、半範囲、ラインス導体ウェハ、光学ミラー、レンズなど多種多様な研磨済み表面のひずみ・応力を二次元描画します。
このシステムは標準で2μmの解像度で2インチから300mmウェアスキャンが可能です。スキャンは選択キャン、全範囲写像が完全にプログラム制御できます。当システムは最初にプロセス前の基板をスキャンし、後にプロセス後の試料(基板)を再びスキャンし、全範囲写像で2インチ〜300mmウェハの応力が解析できます。
kSA MOSウルトラスキャンは、ほかのシステムと比べて、ひずみ分解能は10倍高く、ノイズも低くて、よりパワフルな描画能力が あります。

特長
  • 半導体ウェハ、光学ミラー、レンズ、その他あらゆる研磨面の歪みを二次元描画
  • kSA MOS(マルチビーム・オプティカル・センサ)の特許取得済み技術の応用
  • 2μmの空間解像度にて2インチ〜300mmウエアまでのスキャン範囲
  • 定量的な膜ひずみ解析描画
  • 振動の影響を受けずに測定
  • 選択範囲、ラインスキャン、全範囲写像を完全プログラムスキャン
  • 歪み、曲率、応力(ストーニーの式に基づき算出)、反り高さの測定
原理

薄膜の応力と基板曲率半径Rの関係
基板上に成長した薄膜に応力が生じると、その応力の大きさに応じて基板ごと歪曲します。左図は薄膜内に生じた応力により歪曲した基板のイメージを表しています。応力の大きさはストーニーの式(Stoney’ formula)で表せます。

標準仕様
基板サンプル  任意の研磨面(658nmレーザー照射で2%以上の反射率)
スキャン範囲 2インチ〜300mmウエア
スキャン速度 最大20mm/秒 (x,y)
スキャン解像度2μm (オプションでより高解像度が可能)
最大曲率半径分解能半径100kmまで(1-sigma)
平均チルト再現性<1micro radian (1-sigma)
平均曲率半径測定再現性<2×10-5 l/m (1-sigma)
アプリケーション
  • 半導体ウェハ(Si, SOI, 化合物半導体)
  • 高性能光学コーティング(ミラー、レンズ、ガラス等)
構成
1 標準ハードウェア
  • 高感度12ビットディテクタ
  • 660nmダイオードレーザーモジュール(>20mW)
  • サーボ制御自動トラッキングミラー
  • リニアXYステージと5フェーズステッパーコントローラ
  • スチール&アルミ製架台
  • Dellワークステーションコンピューターシステム及びコントロールボード
2 ソフトウェア
  • 完全なデータ取得と解析コントロール
  • 自動レーザースポット検出
  • ディテクタによる表面反射レーザースポット検知にて輝度変化に対応し、自動でレーザーパワーを制御
  • 歪み、歪み半径、応力(歪みと膜厚の積)、及びチルトのリアルタイム測定
  • データ取得モード: フォーカスモード、スキャンモード
  • 解析能力: 標準ラインプロファイル、統計解析、等高描画、歪み、チルト、応力の全表面と極性プロット
  • ユーザーフレンドリーなWindows標準環境
  • データディスプレー用高解像度2D&3Dグラフィックス

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