赤外線導入加熱機構 GVシリーズ
メーカー名：株式会社サーモ理工
製品情報
概要
GVシリーズは超高真空中やガスフロー中等、各種雰囲気に設置された試料のみにピンポイントで赤外線を照射し、非接触で試料を急速加熱できます。真空システムや分析装置に簡単に取付けできます。
用途
- Si、SiC等試料の高速昇温、アニール
- 参加雰囲気中での酸化物結晶生成、薄膜作成
- X線や紫外線照射中試料の昇温
- 昇温脱離ガス分析装置、PLD等分析装置内サンプルの加熱
- 加圧雰囲気中加熱
仕様
| 赤外線導入本体部 | 小型 | 高速昇温型 | 超高真空型 | ||||
| GV154 | GV198 | GVL298 | GVL398 | GVH198 | GVH298 | ||
| 赤外線導入部 | 水冷式回転楕円体 ゴールドミラー | ||||||
| IG154 | IG198 | IG298 | IG398 | IG198H | IG298H | ||
| 赤外線ランプ 最大規格 | 500W | 1kW | 2kW | 3kW | 1kW | 2kW | |
| 真空フランジシール方式 | Oリング V14 | Oリング V21 | Oリング VL21 | ｻﾌｧｲﾔ窓 VH21 | ｻﾌｧｲﾔ窓 VH21W | ||
| ガスケット | |||||||
| 導入ロッド | 直径 | φ14㎜ | φ20㎜* | ||||
| 形状 | ｼﾝｸﾞﾙﾛｯﾄﾞ GR1 | ｼﾝｸﾞﾙﾛｯﾄﾞ GR | ｼﾝｸﾞﾙﾛｯﾄﾞ GRL | ﾀﾞﾌﾞﾙﾛｯﾄﾞ GRH | |||
| 最高到達温度 | 1300℃ | 1300℃ | 1500℃ | 1600℃ | 1200℃ | 1400℃ | |
| 加熱面積 | φ14㎜ | φ20㎜ | |||||
| リーク量 | ー | 1.33×10-8Pa・m3/sec.max. | 1.33×10-10Pa・m3/sec.max. | ||||
| 最高到達可能真空度 | 5×10-8Pa(10-9Torr) | 5×10-9Pa(10-11Torr) | |||||
| 再交昇温速度 | 100℃/sec | 100-150℃/sec | 1℃/sec | ||||
| 真空チャンバー取付 | ICF34 | ICF70 | |||||
| 冷却水量 | 1 lit/min | 1 lit/min | 2 lit/min | 1 lit/min | 2 lit/min | ||
*）導入ロッド直径はφ5〜28も可能。
周辺機器
■温度制御機 TP910RF
| 制御方式 | プログラム自動制御 |
| 設定 | 32 patterns / 32 segments |
| 制御温度範囲 | 1700℃ max |
| 温度表示 | PV, SV値0.1℃毎 |
| 温度センサー | R熱電対用 |
| アナログ出力 | DC 0〜5V |
| 電源 | AC100V 20A 電流計付 |
| 寸法 | 480×149×320 ㎜ |
■移動式温度センサー
| 移動式温度センサー | RS250V | KS250V |
| センサー種類 | Rシース熱電対 | Kシース熱電対 |
| シース材・径 | Platinum-rhodum φ0.5㎜ | Inconel φ0.5㎜ |
| 移動距離（精度） | 25㎜（0.2㎜） | |
| 測定温度範囲（真空中） | RT-1600℃ | RT-1200℃ |
■フロースイッチ DFS3R
■過昇温防止機構 HS2
