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製品紹介

超高真空2元同時EB蒸着装置

製品情報

基本仕様
研究開発用の小型サンプル(基板系)用のMBE装置 
  • 基板    :φ2インチ (オプションでφ3インチ)
  • 基板加熱機構:Max 1000℃
成膜室のバックグラウンドの圧力は、2×10-8 Pa以下
蒸発源
  • 3kW-5ルツボ直線移動式E-Gun×1基 標準装備(最大2基搭載でき共蒸着が可能)
  • サイドマウント引き出し機構により原料充填、メンテナンスが簡単に行えます。
蒸発源オプション 
  • K-セル、プラズマソース、エバポレータ、抵抗加熱ボート
蒸発源用増設ポート 
  • ICF253(E-Gun増設用)×1個
  • ICF114(K-セル、プラズマソース用)×4個
  • ICF70(エバポレータ、ガス導入用、Q-MS用)×4個
RHEED
  • 30kV-RHEED、ICF203蛍光スクリーン、スクリーンシャッター付き
オプション
3kW複数ルツボ直線移動式E-Gun

ルツボ容量:2.2ccスイープコイル付き

6kW/10kW複数ルツボ直線移動式 E-Gun

ルツボ容量:7cc、15cc、40cc

Veeco社製各種エフュージョンセル

高温セル、SUMOセル、バルブドセル

AVCエバポレーター

高性能マグネトロンスパッタ源

膜厚均一性、蒸着速度、ターゲットの利用効率のすべてを向上

ガス導入系・プラズマソース

成膜時、酸素ガス導入により酸化物のアシスト

傾斜蒸着用リニア駆動シャッター

ステッピングモーターにてシャッタースピードを
可変して傾斜蒸着できます。

RHEED画像解析システム kSA400

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