超高真空2元同時EB蒸着装置
メーカー名：株式会社アールデック, 株式会社エイブイシー
製品情報
基本仕様
研究開発用の小型サンプル（基板系）用のMBE装置
- 基板 ：φ2インチ (オプションでφ3インチ)
- 基板加熱機構：Max 1000℃
成膜室のバックグラウンドの圧力は、2×10-8 Pa以下
蒸発源
- 3kW-5ルツボ直線移動式E-Gun×1基 標準装備(最大2基搭載でき共蒸着が可能)
- サイドマウント引き出し機構により原料充填、メンテナンスが簡単に行えます。
蒸発源オプション
- K-セル、プラズマソース、エバポレータ、抵抗加熱ボート
蒸発源用増設ポート
- ICF253（E-Gun増設用）×1個
- ICF114（K-セル、プラズマソース用）×4個
- ICF70（エバポレータ、ガス導入用、Q-MS用）×4個
RHEED
- 30kV-RHEED、ICF203蛍光スクリーン、スクリーンシャッター付き
オプション
3kW複数ルツボ直線移動式E-Gun
ルツボ容量：2.2ccスイープコイル付き
6kW/10kW複数ルツボ直線移動式 E-Gun
ルツボ容量：7cc、15cc、40cc
Veeco社製各種エフュージョンセル
高温セル、SUMOセル、バルブドセル
AVCエバポレーター
高性能マグネトロンスパッタ源
膜厚均一性、蒸着速度、ターゲットの利用効率のすべてを向上
ガス導入系・プラズマソース
成膜時、酸素ガス導入により酸化物のアシスト
傾斜蒸着用リニア駆動シャッター
ステッピングモーターにてシャッタースピードを
可変して傾斜蒸着できます。
