MOCVD用in-situひずみ・応力・温度・反射率・膜厚測定システム　kSA ICE 株式会社アールデックで取り扱っている製品詳細ページになります。

製品情報

概要

GaN(LED、パワーデバイス)のMOCVD成膜中のin-situ測定に特化した製品です。
必要機能に応じて以下から選択でき、後にアップグレードすることも可能です。

kSA ICE	反射率・黒体輻射温度・ひずみ・応力
kSA ICE-R	反射率
kSA ICE-RB	反射率・黒体輻射温度
kSA ICE-RC	反射率・ひずみ・応力
kSA Blue ICE	反射率・黒体輻射温度・ひずみ・応力・GaN薄膜表面温度・膜厚・粗度

STANDARD HARDWARE LAYOUT

マルチウェハ測定

・マルチウェハ測定機能は標準ですが、シングルウェハ測定のみへのダウングレードも可能です。
・Excelや画像ファイル(tiff、bmp等)の出力も簡単に行えます。

kSA mini-MOS

概要

エタロンによる平行配列マルチレーザービーム（特許）によるサンプル照射、CCDカメラによるビーム位置の検出、
取得画像のビームスポット間距離変化を見て、薄膜にかかる歪み、応力を測定します。
CVD、MOCVD、スパッタ装置、MBE装置の基板に対応しています。研究・開発のみならず、製造プロセスにおいても薄膜作成過程のリアルタイムモニタシステムとして使用できます。

特長

• ２つのエタロンによる高解像度2Dマルチビーム光学系センサークノロジー（特許）によりｘ、ｙ方向のひずみを測定
• 反射レーザー強度振動による薄膜厚・成長率・光学定数の精密測定が可能
• レーザースポットの同時検出により、基板回転などの振動の影響はほとんど受けずに測定
• 曲率半径４～１０km（装置の仕様に依る）までのひずみ測定が可能
• フレキシブルなカスタムマウントデザインを提供
• 外部トリガ機能により回転基板にも対応

アプリケーション

1. .低温GaNバッファレイヤー上の高温GaN膜成長時の応力・膜厚をモニター可能（基板回転スピード1200rpmにも対応）反射レーザー強度振動は正確な膜厚測定を提供
2. MOSの反射レーザー強度振動は、例えば厚いDLC薄膜の層成長モニターに応用可能振動は正確な光学定数、個々のレイヤー薄膜膜厚を算出

構成

• 高感度8bit CCD
• 集積レーザー光学系
• サーボ制御光学ミラー
• Dell デスクトップPC 又は ラックマウントコンピュータ
• 制御ボード(Scientific Grade Frame Digitization Board, Multifunction Digital and Analog I/O board, Servo Control Board)

In-situ ひずみ・応力測定システム　機能比較表

優れている

普通

劣っている