MOS サーマルスキャン ex-situ
メーカー名：k-Space Associates, Inc.
製品情報
機能
基板を加熱しながら基板反り・反り高さ、薄膜応力、膜厚、反射率を2D/3Dマッピング測定。
※真空加熱チャンバーとガス導入機構付
加熱温度
ラインスキャン 1000℃
2D/3Dマッピング 600℃
測定原理
MOS技術（特許）をベースに、真空加熱チャンバー上のMOS光学系をXYステージで駆動させ、ソフトウェアでデータ処理し画像化
アプリケーション
プロセスガス雰囲気中での過熱時における半導体ウェハの反り量などの測定
仕様
| レーザ波長 | 660 nm (532 nm、405 nmはオプション) |
| スポットサイズ（占有範囲） | 〜Φ0.8㎜ (4×3で6×4 ㎜) |
| レーザパワー/寿命 | >70 mW/10,000時間 |
| ディテクタ（標準） | 14bit 3296×2472ピクセル |
| 反り測定（曲率半径） | ±2 m〜±25 km |
| 反射率・成長率・膜厚 | オプション |
| サンプルサイズ | 100、150、200、300 ㎜ |
| 反り高さ | 〜0.67 ㎜（〜2㎜オプション） |
| 加熱温度 2Dマッピング | 〜600℃ |
| 加熱温度 ラインスキャン | 〜1000℃ |
| 昇温レート | 6〜30℃/分 |
| 温度均一性 | ±1％（300㎜ウェハ、650℃以下） |
| 応力測定範囲 | 1 MPa〜7.8 GPa |
| 応力精度 | < 1% or 0.32 MPa（どちらか大きい数字） |
【圧力制御オプション】
- デジタルMFCによるガス制御
- 自動フローレート制御
- チャンバー内圧力の自動制御
- サーマルスキャンレシピ制御