MOS ウルトラスキャン ex-situ
メーカー名：k-Space Associates, Inc.
製品情報
機能
基板反り・反り高さ、薄膜応力、反射率、膜厚（オプション）を2D/3Dマッピング測定
測定原理
MOS技術（特許）をベースに、真空加熱チャンバー上のMOS光学系をXYステージで駆動させ、ソフトウェアでデータ処理し画像化
アプリケーション
半導体ウェハ、光学ミラー、レンズ、ガラス基板などの反り・反り高さや応力の測定
仕様
| レーザ波長 | 660 nm（532 nm、405nmはオプション） |
| スポットサイズ（占有範囲） | 〜Φ0.8 ㎜(4×3で6×4 ㎜) |
| レーザパワー/寿命 | ＞70 mW/10,000時間 |
| ディテクタ（標準） | 14bit 3296×2472ピクセル |
| 反り測定（曲率半径） | ±2m〜±50km |
| 反り分解能 | 4×10-5 m−1 |
| 反射率・成長率・膜厚 | オプション |
| サンプルサイズ | 50、75、100、150、200、300 ㎜ |
| 反り高さ | 〜0.67㎜（〜2㎜オプション） |