基板反り・薄膜応力測定モニタ
MOS（マルチビームオプティカルセンサ） in-situ
メーカー名：k-Space Associates, Inc.
製品情報
機種
- in-situモニタ（MOS）
- 2D/3Dマッピング（MOS ウルトラスキャン）
- 加熱機構付2D/3Dマッピング（MOS サーマルスキャン）
アプリケーション
- MBE、MOCVD、スパッタ製膜中のウェハの反り、応力
- LCDパネルやガラス基板の反り、応力の2D/3Dマッピング
- ウェハを加熱しながらの反り、応力の2D/3Dマッピング
反り測定計算式
測定原理
658 nmレーザビームをエタロンを通しX方向へ分割、もう1つのエタロンを通しY方向へも分割して平行配列ビームスポット（4×3等）を作る（特許技術）。
これを成膜中の基板に照射し、基板が反ると各スポット間隔が変化することで、X/Y方向の反りが測定できる。レーザスポットの反射率、光学定数（n, k）、成長率・膜厚も算出される。ストーニーの式（下記）を用いて応力も算出できる。
アプリケーション
MBE、MOCVD、スパッタ装置等でのプロセス中のウェハなど反り・応力測定
応力測定計算式（ストーニーの式）
仕様
| レーザ波長 | 660 nm（532 nm、405 nmはオプション） |
| スポットサイズ（占有範囲） | 〜Φ0.8 ㎜（4×3で6×4 ㎜） |
| レーザパワー/寿命 | ＞70 mW/10,000時間 |
| ディテクタ（標準） | 12bit 1360×1024ピクセル |
| 反り測定（曲率半径） | up to 4 km〜50 km（装置環境に依存） |
| 反り分解能 | up to 2×10-5m-1 |
| 反射率・成長率・膜厚 | オプション |