Products

製品紹介

リアルタイム基板表面温度モニタ kSA BandiT

製品情報

概要

非接触でリアルタイムに基板温度の測定が可能

ディテクタにより基板上の散乱光から半導体バンドギャップを検出し、波長選択が可能な分光計(VIS又はNIR)を用い室温から高温(1300℃程度)まで測定できます。成長レートや膜厚の測定も可能です。
高温アプリケーションでは、ライトソースとして基板ヒーターステージそのものを使用するので、シングルポートのみ必要です。低温アプリケーションでは、ライトソース用にポート1つ、ディテクタ用にもう1つポートが必要です。MBEチャンバーでは通常パイロメーター用ポートと予備ポートを使用します。MOCVD用には1ポートのみ使用します。

仕様
■コントローラ(分光器)別
VIS(可視光)モデルNIR(近赤外線)モデル
波長範囲350〜600nm875〜1400nm又は1670
温度アップデート通常:20Hz 最小:1Hz
通常の温度範囲ZnSe:室温〜700℃GaAs:室温〜780℃
ZnTe:室温〜800℃InP:室温〜550℃
ZnO:室温〜1300℃Si:室温〜550℃
SiC:室温〜1300℃
GaN:室温〜1300℃
CdTe:室温〜800℃
SrTiO:室温〜1300℃
CdS:室温〜800℃
温度分解能±0.1℃±0.1℃
安定性±0.2℃
精度±2℃
入力サーモカップル、アナログ0〜10V、TTL
出力リアルタイムディスプレイ、サーモカップル(選択可能)、アナログ(0〜5V)
※上記測定温度範囲は,諸条件により異なります。
■機能比較
機種表面温度サセプタ
温度
反射率成長率膜厚ひずみ応力表面粗度
BandiT×××
mini MOS×××
特長
  • IR透過可能な基板/薄膜にて温度測定
  • 室温にてZnSe, ZnTe, ZnO, TiO2, GaAs, InP, Si, CdTe等、ほとんどの半導体基板の温度測定
  • フィラメントやヒーターの光、その他の迷光による影響を受けない
  • 波長選択可能な分光計(VIS又はNIR)
  • 薄膜成長レートの測定 (ex-situ)
  • R&D用及び生産用のMOCVD、MBEシステムに対応したハードウェア
構成
1. 分光計(スペクトロメータ)
  • 512エレメントペルチェ冷却CCDアレイ、 380 – 1100nm(VIS Model)
  • 128エレメントInGaAsフォトダイオードアレイ、875 – 1400nm又は1670(NIR Model)
  • ディテクタのフォーカス調整用ビルトインレーザーユニット
  • 19”ラックマウントコントローラ
  • 取付フランジ:ICF70, ICF114, ICF152
2.ディテクタ
  •  400μmファイバー ・マイクロメーター付シングルアクシス
  • ピボットマウント
3.ライトソース
  • 金メッキリフレクタ付150Wハロゲンランプ
  • BandiTソフトウェアによるライト出力コントロール
  • スペクトル安定出力用フィードバックコントロール内蔵
4.kSA BandiTソフトウェア
  • ライトソース、スペクトロメーター、データI/Oをモニター&制御
  • バンドエッヂのカーブフィッティング、温度のリアルタイム表示
高温測定振動 スキャンイメージ & 成長レート測定

温度測定機能に加え、高温スキャンイメージでのデータ保存が可能です。
このフォーマットでは取得したスペクトルは前に 取得したスペクトルの下に重なって表示されるため、積み重ねた スペクトル画像を経過時間順に上から下へ生成していくことができます。
このスキャンイメージを用い成長レートが算出されます。

※kSA BandiTのデモのご依頼承ります!

お問い合わせはこちらから

PAGETOP