反射高速電子線回折装置 RHEED
メーカー名：株式会社イーエルシー
製品情報
反射高速電子線回折法は、薄膜結晶成長技術の発展とともに結晶化評価の観察手段として不可欠なものになっています。RHEEDは一般に10～30KeV程度の電子線を試料表面に数度程度の浅い入射角度で入射させ、電子の波動性により結晶格子の回折された電子線を対向するスクリーンに投影して、結晶表面の構造を調べる事ができる装置です。
電子銃の特長
- コンパクトな設計
- 高輝度化を実現（当社比120％）
- インターロック安全機構付き
- 磁気シールドを標準装備
- 高い耐久性と信頼性
- RoHS指令対応
電源の特長
- ビームブランキング機能を追加
- デジタル制御になり安定性が向上
- 設定値保存/復元機能、最適条件の設定値を100パターン保存可能
- 液晶ディスプレイを採用し、全てのパラメーターを瞬時に確認可能
- k-Sapce社製画像解析システム（kSA 400）による in-situ解析対応
図面
仕様
電子銃
| 型 式 | RDA-005G |
| 絶縁耐圧 | DC 30 kV |
| ビームスポット径 | 最小Φ90 μm |
| フィラメント | タングステンヘアピン |
| ウェネルト | 可変バイアス |
| 集束レンズ | 空芯型電磁レンズ |
| 偏向レンズ | トロイダル電磁レンズ |
| ビーム偏向 | X/Y: ±8° |
| 磁気シールド | 標準装備 |
| 動作圧力 | < 1×10-3 Pa 一段差動排気タイプ <1 Pa*) |
| 最大ベーク温度 | 200 ℃ |
| 取付フランジ | ICF70-FH |
| 寸 法 | Φ100 mm×335 mm （コネクタを含むと455 mm） |
*オプション：RDA-005G-DP
電源
| 型 式 | RDA-006P |
| 加速電圧 | -3 〜 -30 kV (リップル 15 V p-p) |
| エミッション電流 | 最大 80 μA |
| フィラメント電源 | 0 〜+2 V、最大 1.9 A |
| バイアス電源 | 0 〜 480 V可変 (リップル 5 m V p-p) |
| メモリ機能付リモコン | LCD表示：加速電圧、エミッション電流、フィラメント電流、 バイアス電圧、ビーム偏向(X/Y)、フォーカス(Z) |
| インターロック | 高電圧インターロック |
| ケーブル | 高圧ケーブル 5 m、リモコンケーブル 7 m |
| 外部入出力 | アナログデジタル I/O、kSA 400ガンコントロール対応 |
| 入力電源 | AC 100 V |
| 寸 法 | EIA 4U 高さ 177 mm x 幅 482.5 mm x 奥行 450 mm |
| その他 | RoHS対応 |
RHEED解析システム kSA 400
RHEED回折像から結晶格子間隔、ひずみ変化・薄膜成長レート・膜厚・コヒーレンス長などの他に、結晶薄膜表面の評価/分析に必要な情報を容易にモニターできます。取得した回折画像や映像分析はもちろん、高速基板回転中の取得データのin-situ分析も、正確に行えます。
◎RHEED Gun コントロールオプション